ASTM F1535-00 normas y especificaciones

Estándar No.: ASTM F1535-00
Fecha de publicación: 1970
Organización: /
Ultima versión: ASTM F1535-00

Alcance: 1.1 Este método de prueba cubre la medición de la vida útil del portador apropiada para los procesos de recombinación de portadores en obleas de silicio dopadas homogéneamente, pulidas o tipo p con una resistividad a temperatura ambiente superior a aproximadamente 0,05 V·cm. Este método de prueba también se puede aplicar a la medición de la vida útil de la recombinación del portador en obleas cortadas, lapeadas o grabadas, siempre que la sensibilidad del sistema de detección de conductividad sea adecuada. 1.2 En este método de prueba, la caída de la conductividad de la oblea luego de la generación de portadores en exceso con un pulso de luz se determina monitoreando la reflectividad de microondas de la oblea. Dado que no se hace contacto con la muestra, este método de prueba no es destructivo. Si se mantiene la limpieza de las obleas, éstas se pueden procesar más después de realizar la prueba mediante este método de prueba. 1.3 Dependiendo del nivel de fotoexcitación, la vida útil de la recombinación de los portadores determinada por este método de prueba puede ser la vida útil de los portadores minoritarios (nivel de inyección bajo) o una mezcla de vidas útiles de los portadores minoritarios y mayoritarios (niveles de inyección intermedios y altos). En el último caso, las vidas de los portadores minoritarios y mayoritarios pueden separarse bajo algunas condiciones si se supone un único centro de recombinación que sigue el modelo Shockley-Read-Hall (ver Apéndice X1). 1.4 Este método de prueba es apropiado para medir la vida útil de la recombinación de portadores en el rango de 0,25 µs a >1 ms. Los valores de vida útil más cortos se rigen por las características de apagado de la fuente de luz y por la frecuencia de muestreo del analizador de señales de desintegración, mientras que los valores más largos están determinados por la geometría de la muestra de prueba y el grado de pasivación de la superficie de la oblea. Con procedimientos de pasivación adecuados, como oxidación térmica o inmersión en una solución adecuada, se pueden determinar tiempos de vida de hasta decenas de milisegundos en obleas pulidas con un espesor como se especifica en SEMI M1. NOTA 1: La vida útil de la recombinación del portador de muestras a granel de gran tamaño se puede determinar mediante el Método A o B de los Métodos de prueba F 28. Estos métodos de prueba, que también se basan en la medición de la decadencia de la fotoconductividad (PCD), requieren contactos eléctricos con la muestra. Además, suponen una gran recombinación de superficies en todas las superficies, por lo que el límite superior de vida útil mensurable se rige por el tamaño de la muestra de ensayo. El método B de los métodos de prueba F 28 estipula que la prueba se lleve a cabo en condiciones de baja inyección para garantizar que se determine la vida útil del portador minoritario. La vida útil de los portadores minoritarios también se puede deducir de la longitud de difusión del portador medida por el método de fotovoltaje de superficie (SPV) de acuerdo con el Método A o B de los Métodos de prueba F 391. Cuando se lleva a cabo en condiciones de baja inyección, tanto el método SPV como el El método PCD debería arrojar los mismos valores de vida útil de los portadores minoritarios (1)2 bajo ciertas condiciones. En primer lugar, se requiere que no se produzca atrapamiento de portadores. En segundo lugar, se deben utilizar valores correctos del coeficiente de absorción y la movilidad de los portadores minoritarios al analizar las mediciones del SPV. En tercer lugar, los efectos de recombinación de la superficie deben eliminarse (como en el presente método de prueba) o tenerse en cuenta adecuadamente (como en los Métodos de prueba F 28) al realizar las mediciones de PCD. La vida útil de generación, que es otra característica transitoria de los materiales semiconductores, suele ser órdenes de magnitud mayor que la vida útil de recombinación. Aunque el método de prueba F 1388 cubre la medición de la vida útil de generación en obleas de silicio, la vida útil de recombinación también se puede deducir de mediciones de tiempo de capacitancia realizadas a temperaturas superiores a la temperatura ambiente ($70 °C) utilizando la misma estructura de capacitor MOS (2). 1.5 La interpretación de mediciones para identificar la causa o naturaleza de los centros de impurezas está más allá del alcance de este método de prueba. Sin embargo, en los apéndices se analizan algunos aspectos de la obtención de esta información a partir de mediciones de la vida útil de la recombinación de portadores únicamente. El uso de la “espectroscopia de nivel de inyección” (3) se analiza en el Apéndice X1 y el uso de la dependencia de la temperatura de la vida útil de la recombinación del portador determinada con un nivel de inyección bajo (4) se analiza en el Apéndice X2. La identidad y densidad de los centros de impurezas que se encuentran presentes en la oblea mediante mediciones de vida útil de recombinación generalmente se pueden determinar de manera más confiable a partir de mediciones de espectroscopía transitoria de nivel profundo (DLTS) realizadas de acuerdo con el método de prueba F 978 o de otras capacidades o corriente. técnicas de espectroscopia transitoria siempre que esté disponible un catálogo adecuado de características de impurezas (5). 1.6 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. 1 Este método de prueba está bajo la jurisdicción del Comité F-1 de ASTM sobre Electrónica y es responsabilidad directa del Subcomité F01.06 sobre Materiales de Silicio y Control de Procesos. Edición actual aprobada el 10 de junio de 2000. Publicado en agosto de 2000. Publicado originalmente como F 1535-94. Última edición anterior F 1535-94. 2 Los números en negrita entre paréntesis se refieren a una lista de referencias al final de este método de prueba. 1 Copyright © ASTM, 100 Barr Harbor Drive, West Conshohocken, PA 19428-2959, Estados Unidos. AVISO: Este estándar ha sido reemplazado y reemplazado por una nueva versión o ha sido descontinuado. Comuníquese con ASTM International (www.astm.org) para obtener la información más reciente. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso. Las declaraciones de peligro específicas se dan en la Sección 9.

ASTM F1535-00 Documento de referencia

ASTM D5127 Guía estándar para agua ultrapura utilizada en la industria electrónica y de semiconductores*， 1999-10-26 Actualizar
ASTM F1241
ASTM F1388
ASTM F1530 Método de prueba estándar para medir la planitud, el espesor y la variación del espesor en obleas de silicio mediante escaneo automatizado sin contacto*， 1994-10-26 Actualizar
ASTM F28 Métodos de prueba estándar para la vida útil de los portadores minoritarios en germanio y silicio a granel mediante la medición de la degradación de la fotoconductividad*， 1997-06-10 Actualizar
ASTM F391 Métodos de prueba estándar para la longitud de difusión de portadores minoritarios en semiconductores extrínsecos mediante la medición de fotovoltaje superficial en estado estacionario*， 1996-01-01 Actualizar
ASTM F42 Métodos de prueba estándar para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos*， 1993-10-26 Actualizar
ASTM F533 Método de prueba estándar para el espesor y la variación del espesor de obleas de silicio*， 1996-10-26 Actualizar
ASTM F673 Métodos de prueba estándar para medir la resistividad de rodajas de semiconductores o la resistencia laminar de películas semiconductoras con un medidor de corrientes de Foucault sin contacto*， 1990-10-26 Actualizar
ASTM F723
ASTM F84
ASTM F978 Método de prueba estándar para caracterizar niveles profundos de semiconductores mediante técnicas de capacitancia transitoria*， 2001-01-10 Actualizar

ASTM F1535-00 Historia

1970 ASTM F1535-00