ASTM F28-91(1997)
Métodos de prueba estándar para la vida útil de los portadores minoritarios en germanio y silicio a granel mediante la medición de la degradación de la fotoconductividad

Estándar No.

ASTM F28-91(1997)

Fecha de publicación

1997

Organización

American Society for Testing and Materials (ASTM)

Estado

Remplazado por

ASTM F28-02

Ultima versión

ASTM F28-02

Alcance

1.1 Estos métodos de prueba cubren la medición de la vida útil de los portadores minoritarios apropiada para los procesos de recombinación de portadores en muestras a granel de germanio o silicio monocristalino extrínseco. 1.2 Estos métodos de prueba se basan en la medición de la caída de la conductividad de la muestra después de la generación de portadores con un pulso de luz. Se describen los dos métodos de prueba siguientes: 1.2.1 Método de prueba A: Método de luz pulsada, que es adecuado tanto para silicio como para germinación.2 1.2.2 Método de prueba B: Método de luz cortada, que es específico para muestras de silicio con resistividad $1 V ·cm.3 1.3 Ambos métodos de prueba son no destructivos en el sentido de que las muestras pueden usarse repetidamente para llevar a cabo la medición, pero estos métodos requieren muestras de prueba especiales en forma de barra de tamaño (ver Tabla 1) y condición de superficie (lapeadas) que En general, no sería adecuado para otras aplicaciones. 1.4 Los valores de vida útil más cortos que se pueden medir están determinados por las características de apagado de la fuente de luz, mientras que los valores más largos están determinados principalmente por el tamaño de la muestra de prueba (consulte la Tabla 2). NOTA 1: la vida útil de los portadores minoritarios también se puede deducir de la longitud de difusión medida por el método de fotovoltaje de superficie (SPV) realizado de acuerdo con los métodos de prueba F 391. La vida útil de los portadores minoritarios es el cuadrado de la longitud de difusión dividida por la difusión de los portadores minoritarios. constante que se puede calcular a partir de la movilidad de deriva. Las mediciones de SPV son sensibles principalmente a los operadores minoritarios; la contribución de los portadores mayoritarios se minimiza mediante el uso de una región de agotamiento de la superficie. Como resultado, los tiempos de vida medidos por el método SPV son a menudo más cortos que los tiempos de vida medidos por el método de caída de la fotoconductividad (PCD), porque la fotoconductividad puede contener contribuciones de portadores mayoritarios y minoritarios. En ausencia de captura de portadores, tanto el método SPV como el método PCD deberían producir los mismos valores de vida útil (1)4 siempre que se utilicen los valores correctos del coeficiente de absorción para las mediciones de SPV y que las contribuciones de la recombinación de superficie se tengan en cuenta adecuadamente en la medición de PCD. 1.5 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso. Las declaraciones de peligro específicas se dan en la Sección 9.

ASTM F28-91(1997) Documento de referencia

• ASTM D1125 Métodos de prueba estándar para conductividad eléctrica y resistividad del agua
• ASTM F391 Métodos de prueba estándar para la longitud de difusión de portadores minoritarios en semiconductores extrínsecos mediante la medición de fotovoltaje superficial en estado estacionario
• ASTM F42 Métodos de prueba estándar para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos
• ASTM F43 

ASTM F28-91(1997) Historia

• 1970 ASTM F28-02
• 1997 ASTM F28-91(1997) Métodos de prueba estándar para la vida útil de los portadores minoritarios en germanio y silicio a granel mediante la medición de la degradación de la fotoconductividad