ASTM F391-96
Métodos de prueba estándar para la longitud de difusión de portadores minoritarios en semiconductores extrínsecos mediante la medición de fotovoltaje superficial en estado estacionario

Estándar No.

ASTM F391-96

Fecha de publicación

1996

Organización

American Society for Testing and Materials (ASTM)

Estado

Remplazado por

ASTM F391-02

Ultima versión

ASTM F391-02

Alcance

1.1 Estos métodos de prueba cubren la medición de longitudes de difusión de portadores minoritarios en muestras de materiales semiconductores monocristalinos extrínsecos o en capas homoepitaxiales de resistividad conocida depositadas sobre sustratos más fuertemente dopados del mismo tipo, siempre que el espesor de la muestra o capa sea mayor. cuatro veces la longitud de difusión. 1.2 Estos métodos de prueba se basan en la medición del fotovoltaje superficial (SPV) en función de la energía (longitud de onda) de la iluminación incidente. Se describen los dos métodos de prueba siguientes: 1.2.1 Método de prueba A - Método de fotovoltaje de superficie de magnitud constante (CMSPV). 1.2.2 Método de prueba B -Método de fotovoltaje lineal, flujo de fotones constante (LPVCPF). 1.3 Ambos métodos de prueba no son destructivos. 1.4 No se han determinado los límites de aplicabilidad con respecto al material de la muestra, la resistividad y la vida útil del soporte; sin embargo, se han realizado mediciones en muestras de silicio de tipo 0,1 a 50 ?cm y con tiempos de vida de los portadores tan cortos como 2 ns. 1.5 Estos métodos de prueba fueron desarrollados para su uso en muestras de silicio monocristalino. También se pueden utilizar para medir una longitud de difusión efectiva en muestras de otros semiconductores como el arseniuro de galio (con un ajuste adecuado del rango de longitud de onda (energía) de los procedimientos de iluminación y preparación de muestras) y una longitud de difusión efectiva promedio en muestras de polisilicio en cuyos límites de grano son normales a la superficie. 1.6 Estos métodos de prueba también se han aplicado a la determinación del ancho de la zona desnuda en obleas de silicio. 1.7 Estos métodos de prueba miden las longitudes de difusión a temperatura ambiente (22176 C) únicamente. La vida útil y la longitud de difusión son función de la temperatura. 1.8 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.

ASTM F391-96 Documento de referencia

• ASTM D1193 Especificación estándar para agua reactiva*， 1999-10-28 Actualizar
• ASTM F110 
• ASTM F28 Métodos de prueba estándar para la vida útil de los portadores minoritarios en germanio y silicio a granel mediante la medición de la degradación de la fotoconductividad*， 1997-06-10 Actualizar
• ASTM F533 Método de prueba estándar para el espesor y la variación del espesor de obleas de silicio*， 1996-10-28 Actualizar
• ASTM F673 Métodos de prueba estándar para medir la resistividad de rodajas de semiconductores o la resistencia laminar de películas semiconductoras con un medidor de corrientes de Foucault sin contacto
• ASTM F84 
• ASTM F95 

ASTM F391-96 Historia

• 1970 ASTM F391-02
• 1996 ASTM F391-96 Métodos de prueba estándar para la longitud de difusión de portadores minoritarios en semiconductores extrínsecos mediante la medición de fotovoltaje superficial en estado estacionario