ASTM F673-90(1996)e1
Métodos de prueba estándar para medir la resistividad de rodajas de semiconductores o la resistencia laminar de películas semiconductoras con un medidor de corrientes de Foucault sin contacto

Estándar No.

ASTM F673-90(1996)e1

Fecha de publicación

1990

Organización

American Society for Testing and Materials (ASTM)

Estado

Remplazado por

ASTM F673-02

Ultima versión

ASTM F673-02

Alcance

1.1 Estos métodos de prueba cubren la medición no destructiva de la resistividad global del silicio y ciertas rebanadas de arseniuro de galio y de la resistencia laminar de películas delgadas de silicio o arseniuro de galio fabricadas en una gama limitada de sustratos en el punto central de la rebanada usando un remolino sin contacto. calibre actual. 1.1.1 Las mediciones se realizan a temperatura ambiente entre 18 y 28176 C. 1.2 Estos métodos de prueba se limitan actualmente al silicio monocristalino y policristalino y a muestras en masa de arseniuro de galio extrínsecamente conductoras o a películas delgadas de silicio o arseniuro de galio fabricadas sobre sustratos de resistividad relativamente alta, pero en principio pueden ampliarse para cubrir otros materiales semiconductores. 1.2.1 Las muestras a granel de silicio o arseniuro de galio pueden ser monocristales o policristales y de cualquier tipo de conductividad (p o n) en forma de rodajas (redondas o de otra forma) que estén libres de difusiones u otras capas conductoras que sean fabricados sobre el mismo, que estén libres de grietas, huecos u otras discontinuidades estructurales, y que tengan (1) una dimensión de borde a borde, medida a través del punto central del corte, no menos de 25 mm (1,00 pulg.); (2) espesor en el rango de 0,1 a 1,0 mm (0,004 a 0,030 pulgadas), inclusive, y (3) resistividad en el rango de 0,001 a 200 ?cm, inclusive. No todas las combinaciones de espesor y resistividad pueden ser mensurables. El instrumento estará fundamentalmente limitado a un rango de resistencia de lámina fijo como el indicado en 1.2.2; ver también 9.3. 1.2.2 Las películas delgadas de silicio o arseniuro de galio pueden fabricarse mediante procesos de difusión, epitaxial o de implantación iónica. La resistencia laminar de la capa debería estar en el rango nominal de 2 a 3.000 \omega por cuadrado. El sustrato sobre el que se fabrica la película delgada debe tener una dimensión mínima de borde a borde de 25 mm, medida a través del punto central, y una resistencia laminar efectiva de al menos 1000 veces la de la película delgada. La resistencia laminar efectiva de un sustrato en masa es su resistividad en masa (en ωcm) dividida por su espesor en cm. 1.2.3 Las mediciones no se ven afectadas por el acabado de la superficie de la muestra. 1.3 Estos métodos de prueba requieren el uso de estándares de resistividad para calibrar el aparato (ver 7.1) y un conjunto de muestras de referencia para calificar el aparato (ver 7.2). 1.4 Los valores indicados en unidades SI deben considerarse como estándar. Los valores entre paréntesis son sólo para información. 1.5 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.

ASTM F673-90(1996)e1 Documento de referencia

• ASTM E1 Especificación estándar para termómetros ASTM*， 1998-11-10 Actualizar
• ASTM F374 
• ASTM F533 Método de prueba estándar para el espesor y la variación del espesor de obleas de silicio*， 1996-11-10 Actualizar
• ASTM F81 
• ASTM F84 

ASTM F673-90(1996)e1 Historia

• 1970 ASTM F673-02
• 1990 ASTM F673-90(1996)e1 Métodos de prueba estándar para medir la resistividad de rodajas de semiconductores o la resistencia laminar de películas semiconductoras con un medidor de corrientes de Foucault sin contacto