ASTM F723-99
- Estándar No.
- ASTM F723-99
- Fecha de publicación
- 1970
- Organización
- /
- Ultima versión
- ASTM F723-99
- Alcance
- 1.1 Esta práctica 3 describe una conversión entre la densidad del dopante y la resistividad para silicio monocristalino dopado con arsénico, boro y fósforo a 23°C. Las conversiones se basan principalmente en los datos de Thurber et al (1), (2), (3)3 tomados en silicio monocristalino en masa que tiene valores de densidad dopante en el rango de 3 · 3 · 1013 cm-3 a 1 · 3 · 1020 cm-. 3 para silicio dopado con fósforo y en el rango de 1014 cm-3 a 1 3 1020 cm-3 para silicio dopado con boro. La base de datos de fósforo se complementó de la siguiente manera: se utilizaron dos puntos de datos de muestras en masa de Esaki y Miyahara (4) y un punto de datos de muestras difusas de Fair y Tsai (5) para ampliar la base de datos por encima de 1020 cm-3, y Se añadió un punto imaginario a 1012 cm-3 para mejorar la calidad de la conversión para valores bajos de densidad de dopante. Se presenta una conversión para el arsénico, distinta de la del fósforo, para el rango de 1019 a 6 por 1020 cm-3. 1.2 La autoconsistencia de la conversión (resistividad a densidad de dopante y densidad de dopante a resistividad) (ver Apéndice X1) está dentro del 3 % para el boro de 0,0001 a 10 000 V·cm, (10 12 a 1021 cm−3) y dentro de 4,5 % para fósforo de 0,0002 a 4000 V·cm (1012 a 5 3 10 20 cm−3). Este error aumenta rápidamente si las conversiones de fósforo se utilizan para densidades superiores a 5 3 1020 cm−3. 1.3 Estas conversiones se basan en datos de boro y fósforo. Pueden extenderse a otros dopantes del silicio que tengan energías de activación similares; aunque no se ha establecido la exactitud de las conversiones para otros dopantes, se espera que los datos de fósforo sean satisfactorios para su uso con arsénico y antimonio, excepto cuando se acerque a la solubilidad sólida (ver 6.3). 1.4 Estas conversiones son entre resistividad y densidad de dopante y no deben confundirse con conversiones entre resistividad y densidad de portador o con relaciones de movilidad. NOTA 1: la conversión comúnmente utilizada entre resistividad y densidad dopante compilada por Irvin (6) se compara con esta conversión en el Apéndice X2. En esta compilación, Irvin utilizó el término "concentración de impurezas" en lugar del término "densidad de dopantes". 1.5 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.
ASTM F723-99 Documento de referencia
ASTM F723-99 Historia
- 1970 ASTM F723-99
