GB/T 30656-2014
Obleas de carburo de silicio monocristalino pulido (Versión en inglés)

Estándar No.
GB/T 30656-2014
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
2014
Organización
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Estado
 2023-10
Remplazado por
GB/T 30656-2023
Ultima versión
GB/T 30656-2023
Alcance
Esta norma especifica los requisitos, métodos de inspección, reglas de inspección, marcas, embalaje, transporte, almacenamiento, certificados de calidad y órdenes de compra (o contratos) para obleas pulidas de carburo de silicio 4H y 6H. Esta norma se aplica a las obleas de pulido monocristalinas de carburo de silicio 4H y 6H preparadas después del pulido de una o dos caras. Los productos se utilizan principalmente para fabricar sustratos epitaxiales para iluminación semiconductora y dispositivos electrónicos de potencia.

GB/T 30656-2014 Documento de referencia

  • DIN 50448 
  • GB/T 13387 Método de prueba para medir obleas de silicio y otros materiales electrónicos de longitud plana.
  • GB/T 13388 Método para medir la orientación cristalográfica de planos en rodajas y obleas de silicio monocristalino mediante técnicas de rayos X.
  • GB/T 14140 Método de prueba para medir el diámetro de una oblea semiconductora.
  • GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
  • GB/T 1555 Método para determinar la orientación cristalina de un monocristal semiconductor*2023-08-06 Actualizar
  • GB/T 29505 Método de prueba para medir la rugosidad de la superficie en superficies planas de oblea de silicio.
  • GB/T 29507 Método de prueba para medir la planitud, el espesor y la variación del espesor total en obleas de silicio. Escaneo automatizado sin contacto
  • GB/T 31351 Método de prueba no destructivo para determinar la densidad de microtubos de obleas de carburo de silicio monocristalino pulidas
  • GB/T 6616 Método de corrientes parásitas sin contacto para probar la resistividad de las obleas semiconductoras y la resistencia de las láminas de películas semiconductoras*2023-08-06 Actualizar
  • GB/T 6619 Método de prueba para el arco de obleas de silicio.
  • GB/T 6620 Método de prueba para medir la deformación en rodajas de silicio mediante escaneo sin contacto
  • GB/T 6624 Método estándar para medir la calidad superficial de láminas de silicio pulidas mediante inspección visual

GB/T 30656-2014 Historia




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