GB/T 6619-2009 (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 6619-2009
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2009
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión: GB/T 6619-2009
Reemplazar: GB/T 6619-1995

Alcance: Esta norma especifica el método de medición por contacto para la curvatura de láminas de monocristal de silicio, láminas de esmerilado y láminas de pulido. Esta norma es aplicable a la medición de la curvatura de obleas circulares de silicio con un diámetro no inferior a 25 mm, un espesor no inferior a 180 μm y una relación diámetro-espesor no superior a 250. El propósito de este método de prueba es para la aceptación del material entrante y el control del proceso. Esta norma también es aplicable a la medición de la curvatura de otras obleas semiconductoras.

GB/T 6619-2009 Documento de referencia

GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 2828.1 Procedimiento de inspección por muestreo de conteo, parte 1: Plan de muestreo de inspección lote por lote recuperado por el límite de calidad de aceptación (AQL)*， 2013-02-15 Actualizar