GB/T 13388-2009
Método para medir la orientación cristalográfica de planos en rodajas y obleas de silicio monocristalino mediante técnicas de rayos X. (Versión en inglés)

Estándar No.

GB/T 13388-2009

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2009

Organización

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

Ultima versión

GB/T 13388-2009

Reemplazar

GB/T 13388-1992

Alcance

Esta norma especifica el método de medición del ángulo a, que es el ángulo entre la dirección del cristal perpendicular al plano de referencia de la oblea de silicio circular y el plano de referencia de la superficie de la oblea de silicio. Esta norma es aplicable al rango de longitud del plano de referencia de las obleas de silicio, que deberán cumplir con las disposiciones de GB/T 12964 y GB/T 12965, y la desviación del ángulo de las obleas de silicio estará dentro del rango de -5º a +5º. La precisión de la orientación del cristal determinada por esta norma depende directamente de la precisión de la coincidencia de la superficie de referencia con el deflector de referencia y la precisión de la orientación del deflector con los rayos X relativos. Esta norma contiene los dos métodos de prueba siguientes: Método de prueba 1 - Método de difracción de borde de rayos X Método de prueba 2 - Método de rayos X de reflexión posterior El método de prueba 1 no es destructivo, para que la oblea de silicio sea única en relación con el X Goniómetro de rayos El posicionamiento es similar al Método de prueba 1 GB/T 1555 excepto por el uso de accesorios de oblea especiales. En comparación con el método de retrorreflexión de Laue, esta técnica puede medir la orientación del cristal de la superficie de referencia con mayor precisión. El método 2 tampoco es destructivo y es similar a los métodos de prueba ASTM E82 y DIN 50433 parte 3, excepto que se utilizan negativos "instantáneos" y accesorios especiales para posicionar el plano de referencia con respecto al haz de rayos X. Aunque el Método 2 es más simple y rápido, no tiene la precisión del Método 1 porque utiliza instrumentos y accesorios menos precisos y menos costosos. El método 2 proporciona un registro negativo permanente de las mediciones. Nota: La interpretación de la fotografía de Laue puede proporcionar información sobre la mala orientación de la oblea. Sin embargo, esto está fuera del alcance del método de prueba. Los usuarios que deseen hacer esta interpretación deben consultar los métodos de prueba ASTM E82 y DIN50433, parte 3, o los libros de texto estándar sobre rayos X. Dado que se pueden utilizar diferentes dispositivos, el método 2 también es adecuado para determinar la orientación de la superficie de obleas de silicio. Los valores en esta norma están en unidades métricas. Los valores en unidades imperiales se dan entre paréntesis sólo a título informativo. Nota: Esta norma no implica cuestiones de seguridad, incluso si está relacionada con el uso de la norma. Es responsabilidad del usuario de la norma establecer medidas de seguridad y protección apropiadas y determinar el alcance de las reglas y regulaciones antes de utilizar la norma.

GB/T 13388-2009 Documento de referencia

• ASTM E82 Método de prueba estándar para determinar la orientación de un cristal metálico
• GB/T 12964 Obleas pulidas de silicio monocristalino*， 2018-09-17 Actualizar
• GB/T 12965 Silicio monocristalino en forma de obleas cortadas y obleas lapeadas*， 2018-09-17 Actualizar
• GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
• GB/T 1555 Método para determinar la orientación cristalina de un monocristal semiconductor*， 2023-08-06 Actualizar
• GB/T 2828.1 Procedimiento de inspección por muestreo de conteo, parte 1: Plan de muestreo de inspección lote por lote recuperado por el límite de calidad de aceptación (AQL)*， 2013-02-15 Actualizar

GB/T 13388-2009 Historia

• 2009 GB/T 13388-2009 Método para medir la orientación cristalográfica de planos en rodajas y obleas de silicio monocristalino mediante técnicas de rayos X.
• 1992 GB/T 13388-1992 Método para medir la orientación cristalográfica de planos en láminas y obleas de silicio monocristalino mediante técnicas de rayos X.