ASTM F672-88(1995)e1
Método de prueba estándar para medir perfiles de resistividad perpendiculares a la superficie de una oblea de silicio utilizando una sonda de resistencia de extensión

Estándar No.
ASTM F672-88(1995)e1
Fecha de publicación
1988
Organización
American Society for Testing and Materials (ASTM)
Estado
Remplazado por
ASTM F672-01
Ultima versión
ASTM F672-01
Alcance
1.1 Este método de prueba cubre la medición del perfil de resistividad perpendicular a la superficie de una oblea de silicio de orientación y tipo conocidos. Nota 1: este método de prueba también puede ser aplicable a otros materiales semiconductores, pero la viabilidad y la precisión se han evaluado solo para silicio y germanio. 1.2 Este método de prueba puede usarse en películas epitaxiales, sustratos, capas difundidas o capas implantadas con iones. , o cualquier combinación de estos.1.3 Este método de prueba es comparativo en el sentido de que el perfil de resistividad de una muestra desconocida se determina comparando su valor de resistencia de dispersión medido con los de estándares de calibración de resistividad conocida. Estos estándares de calibración deben tener la misma preparación de superficie, tipo de conductividad y orientación cristalográfica que la muestra desconocida.1.4 Este método de prueba está diseñado para usarse en obleas de silicio en cualquier rango de resistividad para el cual existan estándares adecuados. Se pueden usar superficies pulidas, traslapadas o rectificadas. 1.5 Este método de prueba es destructivo porque la muestra debe estar biselada. 1.6 Se necesitan factores de corrección, que toman en cuenta los efectos de los límites o las variaciones locales de resistividad con la profundidad, antes de usar la calibración. datos para calcular la resistividad a partir de los valores de resistencia de dispersión. Nota 2. Este método de prueba extiende el Método F525 al perfilado en profundidad. Nota 3. Este método de prueba proporciona medios para determinar directamente el perfil de resistividad de una muestra de silicio normal a la superficie de la muestra. A diferencia de los métodos de prueba F84, F374, F1392 y F1393, puede proporcionar una resolución espacial lateral de resistividad del orden de unos pocos micrómetros y una resolución espacial en profundidad del orden de 10 nm (100 A). Este método de prueba se puede utilizar para perfilar uniones pn.1.7 Este método de prueba es principalmente una medición para determinar el perfil de resistividad en una oblea de silicio. Sin embargo, la práctica común es convertir la información del perfil de resistividad en un perfil de densidad. Para tales propósitos, en el Apéndice X2.1.8 se proporciona una conversión entre resistividad y densidad de portador mayoritario. Esta norma no pretende abordar todas las preocupaciones de seguridad, si las hay, asociadas con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso. Las declaraciones de peligro específicas se dan en la Sección 9.

ASTM F672-88(1995)e1 Documento de referencia

ASTM F672-88(1995)e1 Historia

  • 1970 ASTM F672-01
  • 1988 ASTM F672-88(1995)e1 Método de prueba estándar para medir perfiles de resistividad perpendiculares a la superficie de una oblea de silicio utilizando una sonda de resistencia de extensión


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