ASTM F374-02 normas y especificaciones

Estándar No.: ASTM F374-02
Fecha de publicación: 1970
Organización: /
Ultima versión: ASTM F374-02

Alcance: 1.1 Este método de prueba cubre la medición directa de la resistencia laminar promedio de capas delgadas de silicio con diámetros superiores a 15,9 mm (0,625 pulgadas) que se forman por epitaxia, difusión o implantación sobre o debajo de la superficie de una oblea de silicio circular que tiene el tipo de conductividad opuesta a la de la capa delgada a medir o mediante la deposición de polisilicio sobre una capa aislante. Las mediciones se realizan en el centro de la oblea usando una configuración única de cuatro sondas, es decir, con la corriente pasando a través de las clavijas externas y la diferencia de potencial resultante midiéndose con las clavijas internas. 1.2 Se sabe que este método de prueba es aplicable a películas que tienen un espesor de al menos 0,2 µm. Se puede utilizar para medir la resistencia de la lámina en el rango de 10 a 5000 V, inclusive. 1.2.1 El principio del método de prueba puede ampliarse para cubrir valores más bajos o más altos de resistencia de la lámina; sin embargo, la precisión del método no se ha evaluado para rangos de resistencia laminar distintos de los indicados en 1.2. NOTA 1—El valor mínimo del diámetro está relacionado con las tolerancias en la precisión de la medición a través del factor de corrección geométrica. El espesor mínimo de capa está relacionado con el peligro de que las puntas de la sonda penetren a través de la capa durante la medición. 1.3 También se dan los procedimientos para preparar la muestra, medir su tamaño y determinar la temperatura de la muestra durante la medición. Con el método se incluyen tablas abreviadas de factores de corrección apropiados para la geometría circular para que se puedan realizar cómodamente los cálculos apropiados. NOTA 2: Los principios de este método de prueba también son aplicables a otros materiales semiconductores, pero no se han determinado las condiciones apropiadas ni la precisión esperada. También se pueden medir otras geometrías, pero sólo se deben utilizar mediciones comparativas que utilicen condiciones geométricas similares, a menos que se conozcan los factores de corrección geométrica adecuados. NOTA 3. Se mencionan algunas flexibilizaciones de las condiciones de prueba para ayudar a aplicar los principios del método a aplicaciones sin árbitro, para las cuales aún no se ha desarrollado un método completo sin árbitro. Las condiciones de prueba relajadas proporcionadas son únicamente condiciones de consenso y no se ha explorado su efecto sobre la precisión y exactitud de la medición. 1.4 Los valores indicados en unidades SI deben considerarse como estándar. Los valores entre paréntesis son sólo para información. 1.5 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso. Las declaraciones de peligro específicas se dan en la Sección 9.

ASTM F374-02 Documento de referencia

ASTM C28 Especificación estándar para revoques de yeso*， 1980-10-26 Actualizar
ASTM C31/C31M Práctica estándar para fabricar y curar muestras de prueba de concreto en el campo*， 2023-06-01 Actualizar
ASTM D5127 Guía estándar para agua ultrapura utilizada en la industria electrónica y de semiconductores*， 1999-10-26 Actualizar
ASTM E1 Especificación estándar para termómetros ASTM*， 1998-10-26 Actualizar
ASTM F1529 Método de prueba estándar para la evaluación de la uniformidad de la resistencia de las láminas mediante una sonda de cuatro puntos en línea con el procedimiento de configuración dual*， 2023-10-26 Actualizar
ASTM F42 Métodos de prueba estándar para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos*， 1993-10-26 Actualizar

ASTM F374-02 Historia

1970 ASTM F374-02
2000 ASTM F374-00a Método de prueba estándar para la resistencia laminar de capas epitaxiales, difusas, de polisilicio y de silicio implantadas con iones utilizando una sonda de cuatro puntos en línea con el procedimiento de configuración única