1.1 Este método de prueba cubre un procedimiento adecuado para comparaciones entre laboratorios del espesor de la capa. Este método de prueba es aplicable a capas de cualquier resistividad siempre que la capa difiera del sustrato de silicio debajo de ella ya sea en el tipo de conductividad o en la resistividad en al menos un orden de magnitud. El método descrito es de naturaleza destructiva pero es más ampliamente aplicable que el método infrarrojo alternativo, Método de prueba F 95. 1.2 Para capas con espesores entre 1 y 25 µm, una precisión entre laboratorios como se define en la Práctica E 177, de 6(0.15 T + Se pueden lograr 0,5 µm) (3S) donde T representa el espesor expresado en micrómetros. 1.3 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso. Las declaraciones de peligro específicas se dan en la Sección 8.
ASTM F110-00a Documento de referencia
ASTM C28 Especificación estándar para revoques de yeso*, 1980-10-26 Actualizar
ASTM C35 Especificación estándar para agregados inorgánicos para uso en yeso*, 1995-10-26 Actualizar
ASTM E177 Práctica estándar para el uso de los términos precisión y sesgo en los métodos de prueba ASTM*, 1990-10-26 Actualizar
ASTM F42 Métodos de prueba estándar para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos*, 1993-10-26 Actualizar