ASTM F95-89(2000) normas y especificaciones

Alcance: 1.1 Este método de prueba2 proporciona una técnica para medir el espesor de las capas epitaxiales de silicio depositadas sobre sustratos de silicio. Se utiliza un espectrofotómetro de infrarrojos dispersivo. Para esta medición, la resistividad del sustrato debe ser inferior a 0,02 V·cm a 23°C y la resistividad de la capa debe ser superior a 0,1 V·cm a 23°C. 1.2 Esta técnica es capaz de medir el espesor de capas tanto de tipo n como de tipo p superiores a 2 µm de espesor. Con precisión reducida, la técnica también se puede aplicar a capas de tipo n y p de 0,5 a 2 µm de espesor. 1.3 Este método de prueba es adecuado para mediciones de árbitro. 1.4 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.

ASTM F95-89(2000) Documento de referencia

ASTM E177 Práctica estándar para el uso de los términos precisión y sesgo en los métodos de prueba ASTM*， 1990-10-26 Actualizar
ASTM E932 Práctica estándar para describir y medir el rendimiento de espectrómetros infrarrojos dispersivos*， 2021-04-01 Actualizar
ASTM F84