SJ/T 11471-2014 (Versión en inglés)

Alcance: Esta norma especifica los métodos de prueba para los parámetros geométricos, defectos superficiales, parámetros estructurales y parámetros optoelectrónicos de obleas epitaxiales de diodos emisores de luz visibles (en lo sucesivo denominadas obleas epitaxiales). Esta norma se aplica a las series de galio, arsénico y fósforo, galio, aluminio y arsénico, aluminio, galio, indio y fósforo y obleas epitaxiales de aluminio, galio, indio y nitruro.

SJ/T 11471-2014 Documento de referencia

GB/T 14140.2-1993 Rodajas y obleas de silicio. Medición del diámetro. Método micrométrico.
GB/T 18907-2002 Método de difracción de electrones de área seleccionada para microscopios electrónicos de transmisión.
GB/T 20229 Monocristal de fosfuro de galio*， 2022-03-09 Actualizar
GB/T 20307-2006 Reglas generales para la medición de longitud a escala nanométrica mediante SEM
GB/T 25915.1-2010 Salas blancas y entornos controlados asociados. Parte 1: Clasificación de la limpieza del aire.
GB/T 6619 Método de prueba para el arco de obleas de silicio.
GB/T 6620 Método de prueba para medir la deformación en rodajas de silicio mediante escaneo sin contacto
GB/T 6624-2009 Método estándar para medir la calidad superficial de láminas de silicio pulidas mediante inspección visual
GB/T 8758-2006 Medición del espesor de capas epitaxiales de arseniuro de galio mediante interferencia infrarroja
GB/T 8760-2006 Determinación de la densidad de dislocaciones en monocristal de arseniuro de galio
JB/T 7503 Espesor de la sección transversal de recubrimientos metálicos Método de medición mediante microscopio electrónico de barrido
SJ/T 11394-2009 Métodos de medición de diodos emisores de luz semiconductores.
SJ/T 11395-2009 Terminología de iluminación semiconductora
SJ/T 11399-2009 Métodos de medición para chips de diodos emisores de luz.
SJ/T 11470-2014 Obleas epitaxiales de diodos emisores de luz.

2014 SJ/T 11471-2014 Métodos de medición para obleas epitaxiales de diodos emisores de luz.