GB/T 26068-2010 (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 26068-2010
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2011
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Estado: 2019-11
Remplazado por: GB/T 26068-2018
Ultima versión: GB/T 26068-2018

Alcance: Este método es adecuado para medir la vida útil de la recombinación del portador de obleas de silicio de tipo n o tipo p uniformemente dopadas y pulidas. Este método es una medición no destructiva y sin contacto. Bajo la condición de que la sensibilidad del sistema de detección de conductividad sea suficiente, el método también se puede aplicar para probar la vida útil de la recombinación del portador de obleas de silicio cortadas, molidas o corroídas. 2 El límite inferior de la resistividad a temperatura ambiente de la oblea de silicio probada está determinado por el límite de sensibilidad del sistema de detección, normalmente entre 0,05·cm y 1Ω·cm. 3 El análisis del proceso, el examen de las fuentes de contaminación y la interpretación de los datos de medición para identificar el mecanismo de formación y la naturaleza de los centros de impurezas están fuera del alcance de este método. Este método puede identificar el proceso de introducción de contaminación e identificar algunos tipos de impurezas individuales solo en condiciones muy limitadas, por ejemplo, comparando los valores de la prueba de vida útil del portador antes y después de un proceso específico.

GB/T 26068-2010 Documento de referencia

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GB/T 13389 Práctica para la conversión entre resistividad y densidad dopante para silicio dopado con boro, fósforo y arsénico*， 2014-12-31 Actualizar
GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
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2019 GB/T 26068-2018 Medición de la vida útil de la recombinación del portador de lingotes y obleas de silicio Método de desintegración de la fotoconductividad por reflexión de microondas sin contacto
2011 GB/T 26068-2010 Método de prueba para determinar la vida útil de la recombinación de portadores en obleas de silicio mediante medición sin contacto de la decadencia de la fotoconductividad mediante reflectancia de microondas