GB/T 13389-2014 (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 13389-2014
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2014
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión: GB/T 13389-2014
Reemplazar: GB/T 13389-1992

Alcance: Esta norma especifica la relación de conversión entre la resistividad de monocristales de silicio dopados con boro, fósforo y arsénico y la concentración de dopante. , otros dopantes similares al fósforo. Esta norma es aplicable a una concentración de dopaje con boro 1014 cm-3~1×1020 cm-3, una concentración de dopaje con fósforo 3×1013 cm< superscript-3>~1×1020 cm-3, una concentración dopada con arsénico 1019 cm-3~6 ×1020cm. Para el dopante monocristalino de silicio dopado con boro y fósforo, la concentración se puede ampliar hasta 1012 cm-3. Este estándar también se puede utilizar para la conversión de la resistividad del monocristal de silicio a una concentración de portador a 23 ℃, pero no incluye la conversión de la concentración de portador de dopantes de arsénico ni ninguna otra conversión de la concentración de portador.

GB/T 13389-2014 Documento de referencia

GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 1550 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.*， 2018-12-28 Actualizar
GB/T 1551 Método de prueba para medir la resistividad del silicio monocristalino: método de sonda de cuatro puntos en línea y método de sonda de dos puntos de corriente continua*， 2021-05-21 Actualizar
GB/T 4326 Medición de monocristales semiconductores extrínsecos de movilidad Hall y coeficiente Hall

2014 GB/T 13389-2014 Práctica para la conversión entre resistividad y densidad dopante para silicio dopado con boro, fósforo y arsénico
1992 GB/T 13389-1992 Práctica para la conversión entre resistividad y densidad dopante para silicio dopado con boro y fósforo