GB/T 1553-2009 (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 1553-2009
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2009
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Estado: 2024-03
Remplazado por: GB/T 1553-2023
Ultima versión: GB/T 1553-2023
Reemplazar: GB/T 1553-1997

Alcance: Esta norma especifica el método para la determinación de la vida útil de los portadores minoritarios en monocristales de silicio y germanio. Esta norma se aplica a la medición de la vida útil de portadores minoritarios en desequilibrio en el proceso de recombinación de portadores en monocristales extrínsecos de silicio y germanio. Este estándar es el método de luz pulsada. Este método no destruye las características intrínsecas de la muestra, y la muestra se puede probar repetidamente, pero requiere que la muestra tenga un tamaño de barra especial y una superficie sumergida; consulte la Tabla 1. El valor de vida útil más bajo medible de este estándar es 10 μs. dependiendo del resplandor de la fuente de luz. No apto para pruebas de aceptación de discos pulidos.

GB/T 1553-2009 Documento de referencia

GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
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GB/T 1551-2009 Método de prueba para medir la resistividad del silicio monocristal.

2023 GB/T 1553-2023 Determinación de la vida útil de los portadores minoritarios en silicio y germanio mediante el método de desintegración de la fotoconductividad
2009 GB/T 1553-2009 Métodos de prueba para determinar la vida útil de los portadores minoritarios en germanio y silicio a granel mediante la medición de la decadencia de la fotoconduividad.
1997 GB/T 1553-1997 Métodos de prueba estándar para la vida útil de los portadores minoritarios en germanio y silicio a granel mediante la medición de la decadencia de la fotoconductividad