GB/T 14139-2009
Obleas epitaxiales de silicio (Versión en inglés)

Estándar No.
GB/T 14139-2009
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
2009
Organización
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Estado
 2020-05
Remplazado por
GB/T 14139-2019
Ultima versión
GB/T 14139-2019
Reemplazar
GB/T 14139-1993
Alcance
Esta norma especifica la clasificación de productos, requisitos técnicos, métodos de prueba, reglas de inspección, marcado, embalaje, transporte y almacenamiento de obleas epitaxiales de silicio. Esta norma se aplica a la epitaxia de silicio homogénea de capas epitaxiales de tipo n (N/N) cultivadas sobre sustratos pulidos de silicio de tipo N y capas epitaxiales de tipo P (P/P) cultivadas sobre sustratos pulidos de silicio de tipo p. capa, el producto se utiliza principalmente para fabricar dispositivos de media capa de silicio. Se pueden utilizar como referencia otros tipos de obleas epitaxiales de silicio.

GB/T 14139-2009 Documento de referencia

  • GB/T 12962-2005 Silicio monocristalino
  • GB/T 12964-2003 Obleas pulidas de silicio monocristalino
  • GB/T 13389-1992 Práctica para la conversión entre resistividad y densidad dopante para silicio dopado con boro y fósforo
  • GB/T 14141-2009 Método de prueba para la resistencia laminar de capas epitaxiales, difundidas e implantadas con iones de silicio utilizando una matriz colineal de cuatro sondas
  • GB/T 14142-1993 Método de prueba para la resistencia laminar de capas epitaxiales, difusas e implantadas con iones de silicio utilizando una matriz colineal de cuatro sondas
  • GB/T 14145-1993 Determinación de la densidad de fallas de apilamiento de la capa epitaxial de silicio mediante microscopía de contraste de fase de interferencia
  • GB/T 14246.1-1993 Interfaz de sistema operativo portátil de tecnología de la información para entornos informáticos Parte 1: Interfaz del programa de aplicación del sistema
  • GB/T 14847-1993 Método de prueba para determinar el espesor de capas equitaxiales de silicio ligeramente dopado sobre sustratos de silicio fuertemente dopados mediante reflectancia infrarroja
  • GB/T 2828.1-2003 Procedimientos de muestreo para inspección por atributos. Parte 1: Esquemas de muestreo indexados por límite de calidad de aceptación (AQL) para inspección lote por lote.
  • GB/T 6617-2009 Método de prueba para medir la resistividad de una oblea de silicio utilizando una sonda de resistencia de extensión
  • GB/T 6624-2009 Método estándar para medir la calidad superficial de láminas de silicio pulidas mediante inspección visual
  • YS/T 24-1992 Método de inspección del defecto de la uña epitaxial.

GB/T 14139-2009 Historia



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