GB/T 13389-1992
Práctica para la conversión entre resistividad y densidad dopante para silicio dopado con boro y fósforo (Versión en inglés)
- Estándar No.
- GB/T 13389-1992
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 1992
- Organización
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Estado
- 2015-09
- Remplazado por
- GB/T 13389-2014
- Ultima versión
- GB/T 13389-2014
- Alcance
- Esta norma especifica el método de conversión entre la resistividad del monocristal de silicio dopado con boro y fósforo y la concentración de dopante a 23°C. Esta norma se aplica a monocristales de silicio dopados con boro con una concentración de dopante de 1012～1021cm-3 (resistividad 0,0001～10.000Ω·cm) y 1012 ～5×1020cm-3 (resistividad 0,0002～4.000Ω·cm) conversión de fósforo- La resistividad del monocristal de silicio dopado y la concentración de dopantes también se pueden extender a la activación del silicio. Otros dopantes similares al boro y el fósforo.
GB/T 13389-1992 Historia
- 2014 GB/T 13389-2014 Práctica para la conversión entre resistividad y densidad dopante para silicio dopado con boro, fósforo y arsénico
- 1992 GB/T 13389-1992 Práctica para la conversión entre resistividad y densidad dopante para silicio dopado con boro y fósforo
