GB/T 6617-2009 (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 6617-2009
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2009
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión: GB/T 6617-2009
Reemplazar: GB/T 6617-1995

Alcance: Esta norma especifica el método para medir la resistividad de las obleas de silicio con sondas de resistencia de extensión. Este estándar es adecuado para medir la resistividad de obleas de silicio con orientación de cristal y tipo de conductividad conocidos y para medir la resistividad de la capa epitaxial de obleas de silicio con el mismo tipo o tipo inverso de sustrato. Rango de medición: 10-3Ω·cm～ 102 Ω·cm.

GB/T 6617-2009 Documento de referencia

GB/T 14847 Método de prueba para determinar el espesor de capas epitaxiales de silicio ligeramente dopado sobre sustratos de silicio fuertemente dopados mediante reflectancia infrarroja*， 2011-01-10 Actualizar
GB/T 1550 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.*， 2018-12-28 Actualizar
GB/T 1552 Método de prueba para medir la resistividad de silicio monocristalino y germanio con una matriz colineal de cuatro sondas
GB/T 1555 Método para determinar la orientación cristalina de un monocristal semiconductor*， 2023-08-06 Actualizar

2009 GB/T 6617-2009 Método de prueba para medir la resistividad de una oblea de silicio utilizando una sonda de resistencia de extensión
1995 GB/T 6617-1995