GB/T 14847-1993
Método de prueba para determinar el espesor de capas equitaxiales de silicio ligeramente dopado sobre sustratos de silicio fuertemente dopados mediante reflectancia infrarroja (Versión en inglés)
- Estándar No.
- GB/T 14847-1993
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 1993
- Organización
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Estado
- 2011-10
- Remplazado por
- GB/T 14847-2010
- Ultima versión
- GB/T 14847-2010
- Alcance
- Esta norma especifica el método de medición de la reflectancia infrarroja para el espesor de una capa epitaxial de silicio ligeramente dopada sobre un sustrato fuertemente dopado. Esta norma es aplicable a la medición del espesor de la capa epitaxial de silicio cuya resistividad a temperatura ambiente del sustrato es inferior a 0,02Ω·cm y la resistividad a temperatura ambiente de la capa epitaxial es superior a 0,1Ω·cm y el espesor de la La capa epitaxial es mayor de 2 μm.
GB/T 14847-1993 Historia
- 2011 GB/T 14847-2010 Método de prueba para determinar el espesor de capas epitaxiales de silicio ligeramente dopado sobre sustratos de silicio fuertemente dopados mediante reflectancia infrarroja
- 1993 GB/T 14847-1993 Método de prueba para determinar el espesor de capas equitaxiales de silicio ligeramente dopado sobre sustratos de silicio fuertemente dopados mediante reflectancia infrarroja
