GB/T 14141-2009 (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 14141-2009
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2009
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión: GB/T 14141-2009
Reemplazar: GB/T 14141-1993

Alcance: Esta norma especifica el método para medir la resistencia laminar de la capa epitaxial de silicio, la capa de difusión y la capa de implantación de iones con cuatro sondas en línea. Esta norma es aplicable a la medición de la resistencia laminar promedio de una capa delgada formada sobre o debajo de la superficie de una oblea de silicio por epitaxia, difusión o implantación de iones con un diámetro superior a 15,9 mm. El tipo de conductividad del sustrato de silicio es opuesto al de la capa fina que se va a medir. Es adecuado para medir capas delgadas con un espesor no inferior a 0,2 μm y el rango de medición de la resistencia de la lámina es de 10 Ω a 5000 Ω. Este método también se puede adaptar para mediciones de resistencia laminar de valor mayor o menor, pero no se ha evaluado su precisión de medición.

GB/T 14141-2009 Documento de referencia

GB/T 11073-2007 Método estándar para medir la variación de la resistividad radial en rodajas de silicio
GB/T 1552-1995 Método de prueba para medir la resistividad de silicio monocristalino y germanio con una matriz colineal de cuatro sondas

2009 GB/T 14141-2009 Método de prueba para la resistencia laminar de capas epitaxiales, difundidas e implantadas con iones de silicio utilizando una matriz colineal de cuatro sondas
1993 GB/T 14141-1993 Método de prueba para la resistencia laminar de capas epitaxiales, difusas e implantadas con iones de silicio utilizando una matriz colineal de cuatro sondas