GB/T 24581-2009 (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 24581-2009
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2009
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Estado: 2022-10
Remplazado por: GB/T 24581-2022
Ultima versión: GB/T 24581-2022

Alcance: Esta norma es aplicable a la detección de los elementos electroactivos boro (B), fósforo (P), arsénico (As), aluminio (Al), antimonio (Sb) y galio (Ga) en productos individuales de silicio. El rango de concentración de cada impureza o dopante de elemento electroactivo en el silicio al que se aplica esta norma es (0,01 × 10 ～ 5,0 × 1 O) a. La concentración de cada impureza o dopante se puede obtener de la ley de Beer y se proporciona un factor de calibración para cada elemento.

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