GB/T 24581-2022 (Versión en inglés)

Alcance: Este documento describe un método para la determinación de impurezas de los grupos III y V en monocristales de silicio mediante espectroscopía infrarroja por transformada de Fourier de baja temperatura. Este documento es aplicable al contenido de impurezas de los grupos III y V aluminio (Al), antimonio (Sb), arsénico (As), boro (B), galio (Ga), indio (In) y fósforo (P) en silicio simple. Determinación de cristal, el rango de determinación de cada elemento (en número atómico) es 1,0 × 1010 cm-3 ~ 4,1 × 1014 cm-3.

GB/T 24581-2022 Documento de referencia

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