GB/T 1558-2009 (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 1558-2009
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2009
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión: GB/T 1558-2009
Reemplazar: GB/T 1558-1997

Alcance: Esta norma especifica el método de medición de la absorción infrarroja del contenido de átomos de carbono sustitutos en el silicio. Esta norma es aplicable a la determinación del contenido de átomos de carbono de sustitución en obleas de silicio tipo p con una resistividad superior a 3Ω·cm y obleas de silicio tipo n con una resistividad superior a 1Ω·cm. Para las obleas de silicio que no requieren alta precisión, se puede medir la resistencia. El contenido de átomos de carbono sustituidos en las obleas de silicio con una tasa superior a 0,1 Ω · cm. Dado que el carbono también puede tener sitios intersticiales, este método no puede determinar el contenido total de carbono. También es aplicable a la determinación del contenido de átomos de carbono sustitutivos en silicio policristalino, pero tampoco se puede determinar el carbono en la región intergranular.

GB/T 1558-2009 Documento de referencia

GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 6618-2009 Método de prueba para el espesor y la variación del espesor total de rodajas de silicio.

2009 GB/T 1558-2009 Método de prueba para determinar el contenido de carbono atómico sustitucional del silicio mediante absorción infrarroja
1997 GB/T 1558-1997 Método de prueba para el contenido de carbono atómico sustitucional del silicio mediante absorción infrarroja