ASTM F81-01
- Estándar No.
- ASTM F81-01
- Fecha de publicación
- 1970
- Organización
- /
- Ultima versión
- ASTM F81-01
- Alcance
- 1.1 Este método de prueba2 proporciona procedimientos para la determinación de la variación radial relativa de la resistividad de obleas semiconductoras cortadas a partir de monocristales de silicio cultivados mediante la técnica de Czochralski o de zona flotante. 1.2 Este método de prueba proporciona procedimientos para usar el Método de prueba F 84 para la medición con sonda de cuatro puntos de la variación de resistividad radial. 1.3 Este método de prueba produce una medida de la variación en resistividad entre el centro y las regiones exteriores seleccionadas de la muestra. La cantidad de información obtenida con respecto a la magnitud y forma de la variación en las regiones intermedias cuando se utiliza el conjunto de sondas de cuatro puntos depende del plan de muestreo elegido (ver 7.2). La interpretación de las variaciones medidas como variaciones radiales puede ser errónea si las variaciones acimutales en la oblea o las variaciones axiales a lo largo de la longitud del cristal no son despreciables. 1.4 Este método de prueba se puede aplicar a monocristales de silicio en forma de oblea circular, cuyo espesor es inferior a la mitad del espaciamiento promedio entre sondas y cuyo diámetro es de al menos 15 mm (0,6 pulgadas). Se pueden realizar mediciones en cualquier muestra para la cual se puedan obtener mediciones confiables de resistividad. El procedimiento de medición de resistividad del Método de prueba F 84 se ha probado en muestras que tienen resistividades entre 0,0008 y 2000 V·cm para silicio tipo p y entre 0,0008 y 6000 V·cm para silicio tipo n. Los factores de corrección geométrica requeridos para estas mediciones se incluyen para el caso de diámetros de oblea estándar y están disponibles en forma tabulada para otros casos.3 NOTA 1—En el caso de obleas cuyo espesor es mayor que el espaciado promedio de las sondas de medición, no El factor de corrección geométrica está disponible excepto para la medición en el centro de la cara de la oblea. 1.5 Se proporcionan varios planes de muestreo que especifican conjuntos de sitios de medición en las obleas que se prueban. Los planes de muestreo permiten obtener diferentes niveles de detalle de la variación de resistividad. Uno de estos planes de muestreo será seleccionado y acordado por las partes en la medición. Luego se aplican las mediciones básicas de resistividad del Método de prueba F 84 en cada sitio especificado en el plan de muestreo elegido. 1.6 Los resultados se expresan como cambios relativos en la resistividad entre los distintos sitios de medición. Para obtener valores absolutos de resistividad es necesario medir y corregir la temperatura de la muestra (ver 11.1.4). 1.7 Los valores indicados en unidades SI deben considerarse como estándar. Los valores entre paréntesis son sólo para información. 1.8 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.
ASTM F81-01 Documento de referencia
ASTM F81-01 Historia
- 1970 ASTM F81-01
- 2000 ASTM F81-00 Método de prueba estándar para medir la variación de la resistividad radial en obleas de silicio
