Esta norma se aplica a la inspección de fósforo a base de varillas de silicio policristalino depositado en núcleos de silicio. El rango efectivo de este estándar para detectar la concentración de impurezas: 0,002×10~100×10.
GB/T 4059-2007 Documento de referencia
GB/T 13389 Práctica para la conversión entre resistividad y densidad dopante para silicio dopado con boro, fósforo y arsénico*, 2014-12-31 Actualizar
GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones*, 2009-10-30 Actualizar
GB/T 1551 Método de prueba para medir la resistividad del silicio monocristalino: método de sonda de cuatro puntos en línea y método de sonda de dos puntos de corriente continua*, 2021-05-21 Actualizar
GB/T 1553 Determinación de la vida útil de los portadores minoritarios en silicio y germanio mediante el método de desintegración de la fotoconductividad*, 2023-08-06 Actualizar
GB/T 1554 Método de prueba para la perfección cristalográfica del silicio mediante técnicas de grabado preferencial.*, 2009-10-30 Actualizar
GB/T 1555 Método para determinar la orientación cristalina de un monocristal semiconductor*, 2023-08-06 Actualizar
GB/T 4059-2007 Historia
2018GB/T 4059-2018 Método de prueba para determinar el contenido de fósforo en silicio policristalino mediante el método de fusión por zonas en atmósfera controlada
2007GB/T 4059-2007 Silicio policristalino. Método de examen. Fusión por zonas sobre fósforo en atmósfera controlada.
1983GB/T 4059-1983 Silicio policristalino - Método de examen - Zona de fusión sobre fósforo en atmósfera controlada