GB/T 1551-2021 (Versión en inglés)

Alcance: Este documento especifica el método para probar la resistividad de monocristales de silicio mediante el método de cuatro sondas en línea y el método de dos sondas de corriente continua. Este documento es aplicable a la prueba de resistividad del monocristal de silicio. El rango de resistividad del monocristal de silicio tipo p que se puede probar mediante el método de cuatro sondas en línea es 7×10 Ω·cm~8×103 Ω·cm, monocristal de silicio tipo n El rango de resistividad es 7× 10-4 Ω·cm~1,5×104 Ω·cm; El método de dos sondas de CC es adecuado para probar la resistividad de monocristales de silicio circulares, cuadrados o rectangulares con áreas de sección transversal uniformes y el rango de prueba es 1×104 Ω·cm. 10-3 Ω·cm~1×-4 104 Ω·cm, la relación entre la longitud de la muestra y la dimensión más grande de la sección no es inferior a 3:1. La prueba de resistividad del monocristal de silicio en otros rangos puede consultar este documento.

GB/T 1551-2021 Documento de referencia

GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 1550 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.

2021 GB/T 1551-2021 Método de prueba para medir la resistividad del silicio monocristalino: método de sonda de cuatro puntos en línea y método de sonda de dos puntos de corriente continua
2009 GB/T 1551-2009 Método de prueba para medir la resistividad del silicio monocristal.
1995 GB/T 1551-1995