Esta norma es aplicable a varillas de silicio policristalino cultivadas mediante reducción con hidrógeno de triclorosilano y tetracloruro de silicio para depositar silicio policristalino en núcleos de silicio delgados. El rango efectivo de concentración de impurezas de detección es de 0,02 a 20 ppba. La resistividad tipo N oscila entre 10 y 2000Ω·Cm.
GB/T 4059-1983 Historia
2018GB/T 4059-2018 Método de prueba para determinar el contenido de fósforo en silicio policristalino mediante el método de fusión por zonas en atmósfera controlada
2007GB/T 4059-2007 Silicio policristalino. Método de examen. Fusión por zonas sobre fósforo en atmósfera controlada.
1983GB/T 4059-1983 Silicio policristalino - Método de examen - Zona de fusión sobre fósforo en atmósfera controlada