Esta norma especifica el método para probar la integridad de los cristales de silicio mediante técnicas de grabado preferenciales. Esta norma se aplica a defectos primarios en lingotes u obleas de monocristal de silicio con orientación cristalina, o resistividad de 10Ω•m~10Ω•m, y densidad de dislocación entre 0cm~10cm de inspección. Este método también es aplicable a obleas individuales de silicio.
GB/T 1554-2009 Documento de referencia
GB/T 14262-1993 Métodos para el muestreo y preparación de muestras de concentrados de plomo para flotación a granel.
YS/T 209-1994 Mapa de defectos in situ de materiales de silicio.
GB/T 1554-2009 Historia
2009GB/T 1554-2009 Método de prueba para la perfección cristalográfica del silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
1995GB/T 1554-1995 Método de prueba para la perfección cristalográfica del silicio mediante técnicas de grabado preferencial.