GB/T 4326-2006
Medición de monocristales semiconductores extrínsecos de movilidad Hall y coeficiente Hall (Versión en inglés)

Estándar No.
GB/T 4326-2006
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
2006
Organización
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión
GB/T 4326-2006
Reemplazar
GB/T 4326-1984
Alcance
Los métodos de medición especificados en esta norma son adecuados para medir el coeficiente Hall, la movilidad Hall del portador, la resistividad y la concentración del portador de materiales monocristalinos semiconductores extrínsecos. Los métodos de medición estipulados en esta norma solo han llevado a cabo mediciones de laboratorio en materiales monocristalinos de germanio, silicio, arseniuro de galio y fosfuro de galio en un rango limitado, pero este método también se puede aplicar a otros materiales monocristalinos semiconductores. En general, es adecuado para probar materiales semiconductores monocristalinos con resistividad a temperatura ambiente de hasta 104Ω·cm.

GB/T 4326-2006 Historia

  • 2006 GB/T 4326-2006 Medición de monocristales semiconductores extrínsecos de movilidad Hall y coeficiente Hall
  • 1984 GB/T 4326-1984 Monocristales semiconductores extrínsecos: medición de la movilidad de Hall y del coeficiente de Hall



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