Los métodos de medición especificados en esta norma son adecuados para medir el coeficiente Hall, la movilidad Hall del portador, la resistividad y la concentración del portador de materiales monocristalinos semiconductores extrínsecos. Los métodos de medición estipulados en esta norma solo han llevado a cabo mediciones de laboratorio en materiales monocristalinos de germanio, silicio, arseniuro de galio y fosfuro de galio en un rango limitado, pero este método también se puede aplicar a otros materiales monocristalinos semiconductores. En general, es adecuado para probar materiales semiconductores monocristalinos con resistividad a temperatura ambiente de hasta 104Ω·cm.
GB/T 4326-2006 Historia
2006GB/T 4326-2006 Medición de monocristales semiconductores extrínsecos de movilidad Hall y coeficiente Hall
1984GB/T 4326-1984 Monocristales semiconductores extrínsecos: medición de la movilidad de Hall y del coeficiente de Hall