GB/T 14146-2009 (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 14146-2009
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2009
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Estado: 2021-12
Remplazado por: GB/T 14146-2021
Ultima versión: GB/T 14146-2021
Reemplazar: GB/T 14146-1993

Alcance: Esta norma especifica el método de medición de voltaje-capacitancia con sonda de mercurio para la concentración de portadores de la capa epitaxial de silicio. Esta norma es aplicable a la medición de la concentración de portadores de una capa epitaxial de silicio homogénea. Rango de medición: 4×10cm~8×10cm. El espesor de la capa epitaxial de silicio probada según esta norma debe ser mayor que la profundidad del agotamiento bajo el sesgo de prueba. Esta norma también es aplicable a la medición de la concentración de portadores de obleas pulidas de silicio.

GB/T 14146-2009 Documento de referencia

GB/T 14847-1993 Método de prueba para determinar el espesor de capas equitaxiales de silicio ligeramente dopado sobre sustratos de silicio fuertemente dopados mediante reflectancia infrarroja
GB/T 1550-1997 Métodos estándar para medir el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 1552-1995 Método de prueba para medir la resistividad de silicio monocristalino y germanio con una matriz colineal de cuatro sondas

2021 GB/T 14146-2021 Método de prueba para la concentración de portadores de capas epitaxiales de silicio: método de capacitancia-voltaje
2009 GB/T 14146-2009 Capas epitaxiales de silicio-determinación de la concentración de portadores-voltajes de sonda de mercurio-método de capacitancia
1993 GB/T 14146-1993 Capas epitaxiales de silicio--Determinación de la concentración de portadores--Sonda de mercurio Método de valtage-capacitancia