GB/T 14146-1993
Capas epitaxiales de silicio--Determinación de la concentración de portadores--Sonda de mercurio Método de valtage-capacitancia (Versión en inglés)

Estándar No.

GB/T 14146-1993

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1993

Organización

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

Estado

ser reemplazado 2010-06

Remplazado por

GB/T 14146-2009

Ultima versión

GB/T 14146-2021

Alcance

Esta norma especifica el método de medición de voltaje-capacitancia con sonda de mercurio para la concentración de portadores de la capa epitaxial de silicio. Esta norma es aplicable a la medición de la concentración de portadores de una capa epitaxial de silicio homogénea. El rango de medición es 1013～1018cm-3.

GB/T 14146-1993 Historia

• 2021 GB/T 14146-2021 Método de prueba para la concentración de portadores de capas epitaxiales de silicio: método de capacitancia-voltaje
• 2009 GB/T 14146-2009 Capas epitaxiales de silicio-determinación de la concentración de portadores-voltajes de sonda de mercurio-método de capacitancia
• 1993 GB/T 14146-1993 Capas epitaxiales de silicio--Determinación de la concentración de portadores--Sonda de mercurio Método de valtage-capacitancia