1.1 Esta práctica cubre el análisis de la perfección cristalográfica en lingotes de silicio. Los pasos descritos son la preparación de muestras, la selección y el uso de la solución de grabado, la identificación de defectos y el recuento de defectos. 1.2 Esta práctica es adecuada para su uso si se evalúa silicio cultivado en la dirección (111) o (100) y dopado del tipo p o n con una resistividad superior a 0,005 Omega cm. 1.3 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.
ASTM F1725-97 Documento de referencia
ASTM D5127 Guía estándar para agua ultrapura utilizada en la industria electrónica y de semiconductores*, 1999-11-09 Actualizar