1.1 Esta guía define los requisitos detallados para probar microcircuitos en busca de fallas inducidas por ionización de tasa de dosis alta y pulso corto. Se requieren grandes máquinas de rayos X flash (FXR) operadas en modo de fotones, o instalaciones de haz electrónico FXR debido a los altos niveles de dosis que son necesarios para causar agotamiento. Son posibles dos modos de prueba (1) prueba de supervivencia y (2) prueba de nivel de falla. 1.2 Los valores indicados en el Sistema Internacional de Unidades (SI) deben considerarse estándar. No se incluyen otras unidades de medida en esta norma.
ASTM F1893-98 Historia
2018ASTM F1893-18 Guía para medir la supervivencia y el desgaste de la tasa de dosis ionizantes de dispositivos semiconductores
2011ASTM F1893-11 Guía para medir la supervivencia y el desgaste de la tasa de dosis ionizantes de dispositivos semiconductores
1998ASTM F1893-98(2003) Guía para la medición del desgaste de la tasa de dosis ionizante de dispositivos semiconductores
1998ASTM F1893-98 Guía para la medición del desgaste de la tasa de dosis ionizante de dispositivos semiconductores