En esta guía se aborda el uso de fuentes de radiación FXR para la determinación del desgaste de alta tasa de dosis en dispositivos semiconductores. El objetivo de esta guía es proporcionar un enfoque sistemático para realizar pruebas de agotamiento. Los diferentes tipos de modos de falla posibles se definen y analizan en esta guía. Específicamente, la falla puede definirse por un cambio en los parámetros del dispositivo o por una falla catastrófica del dispositivo. Esta guía se puede utilizar para determinar la capacidad de supervivencia de un dispositivo, es decir, que el dispositivo sobrevive a un nivel predeterminado; o se puede utilizar la guía para determinar la capacidad de tasa de dosis de supervivencia del dispositivo. Sin embargo, dado que esta última prueba es destructiva, el nivel mínimo de tasa de dosis para falla debe determinarse estadísticamente.1.1 Esta guía define los requisitos detallados para probar microcircuitos para fallas inducidas por ionización de tasa de dosis alta y pulso corto. Se requieren grandes máquinas de rayos X flash (FXR) operadas en modo de fotones, o instalaciones de haz electrónico FXR debido a los altos niveles de dosis que son necesarios para causar agotamiento. Son posibles dos modos de prueba (1) prueba de supervivencia y (2) prueba de nivel de falla. 1.2 Los valores indicados en el Sistema Internacional de Unidades (SI) deben considerarse estándar. No se incluyen otras unidades de medida en esta norma.
ASTM F1893-98(2003) Historia
2018ASTM F1893-18 Guía para medir la supervivencia y el desgaste de la tasa de dosis ionizantes de dispositivos semiconductores
2011ASTM F1893-11 Guía para medir la supervivencia y el desgaste de la tasa de dosis ionizantes de dispositivos semiconductores
1998ASTM F1893-98(2003) Guía para la medición del desgaste de la tasa de dosis ionizante de dispositivos semiconductores
1998ASTM F1893-98 Guía para la medición del desgaste de la tasa de dosis ionizante de dispositivos semiconductores