ASTM F1727-97 Práctica estándar para la detección de defectos inducidos por la oxidación en obleas de silicio pulidas normas y especificaciones

Alcance: 1.1 Esta práctica cubre la detección de defectos cristalinos en la región de la superficie de las obleas de silicio. Los defectos son inducidos o mejorados por los ciclos de oxidación que se encuentran en el procesamiento normal del dispositivo. Se incluye un ciclo de oxidación a presión atmosférica representativo de las tecnologías bipolar, de óxido de metal-silicio (MOS) y CMOS. Esta práctica es necesaria para revelar campos de deformación que surgen de la presencia de precipitados, fallas de apilamiento inducidas por oxidación y picaduras de grabado poco profundas. También se revela el deslizamiento que surge cuando se aplican tensiones internas o de borde a la oblea. 1.2 La aplicación de esta práctica se limita a muestras que han sido pulidas químicamente o químicamente/mecánicamente para eliminar el daño superficial de al menos un lado de la muestra. Esta práctica también puede aplicarse a la detección de defectos en capas epitaxiales. 1.3 La superficie de la muestra opuesta a la superficie a investigar puede dañarse deliberadamente o tratarse de otro modo con fines decapantes o grabarse químicamente para eliminar el daño. 1.4 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.

ASTM F1727-97 Documento de referencia

ASTM D5127 Guía estándar para agua ultrapura utilizada en la industria electrónica y de semiconductores*， 1999-11-10 Actualizar
ASTM F1241
ASTM F1725 Guía estándar para el análisis de la perfección cristalográfica de lingotes de silicio
ASTM F1726 Guía estándar para el análisis de la perfección cristalográfica de obleas de silicio
ASTM F1809 Guía estándar para la selección y uso de soluciones de grabado para delimitar defectos estructurales en silicio
ASTM F1810

1970 ASTM F1727-02
1997 ASTM F1727-97 Práctica estándar para la detección de defectos inducidos por la oxidación en obleas de silicio pulidas