ASTM F1809-02 normas y especificaciones

Alcance: 1.1 Esta guía cubre la formulación, selección y uso de soluciones químicas desarrolladas para revelar defectos estructurales en obleas de silicio. Las soluciones de grabado identifican defectos del cristal que afectan negativamente el rendimiento del circuito y el rendimiento de los dispositivos de silicio. La preparación de la muestra, el control de la temperatura, la técnica de grabado y la elección del agente grabador son factores clave para el uso exitoso de un método de grabado. Esta guía proporciona información para varias soluciones de grabado y permite al usuario seleccionar según sus necesidades. Para obtener más información, consulte el Apéndice X1 y las Figs. 1-32. Para conocer un método de prueba para contar defectos superficiales preferentemente grabados o decorados en obleas de silicio, consulte el Método de prueba F 1810. 1.2 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.

ASTM F1809-02 Documento de referencia

ASTM C18
ASTM C28 Especificación estándar para revoques de yeso*， 1980-10-26 Actualizar
ASTM C35 Especificación estándar para agregados inorgánicos para uso en yeso*， 1995-10-26 Actualizar
ASTM D5127 Guía estándar para agua ultrapura utilizada en la industria electrónica y de semiconductores*， 1999-10-26 Actualizar
ASTM F1725 Guía estándar para el análisis de la perfección cristalográfica de lingotes de silicio*， 1997-10-26 Actualizar
ASTM F1726 Guía estándar para el análisis de la perfección cristalográfica de obleas de silicio*， 1997-10-26 Actualizar
ASTM F1727 Práctica estándar para la detección de defectos inducidos por la oxidación en obleas de silicio pulidas*， 1997-10-26 Actualizar
ASTM F1810

1970 ASTM F1809-02
1997 ASTM F1809-97 Guía estándar para la selección y uso de soluciones de grabado para delimitar defectos estructurales en silicio