1.1 Este método de prueba cubre la determinación de la concentración eléctricamente activa de boro, fósforo, arsénico, aluminio, antimonio y galio en silicio monocristalino. 1.2 Este método de prueba se puede utilizar para silicio en el que las concentraciones de impurezas/dopantes están entre 0,01 ppba y 5,0 ppba para cada uno de los elementos eléctricamente activos. 1.3 La concentración de cada impureza/dopante se puede obtener aplicando la Ley de Beer. Se dan factores de calibración para cada elemento. 1.4 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.
ASTM F1630-00 Documento de referencia
ASTM E131 Definiciones estándar de términos y símbolos relacionados con la espectroscopia molecular*, 1981-10-26 Actualizar
ASTM E168 Prácticas estándar para técnicas generales de análisis cuantitativo infrarrojo*, 1999-10-26 Actualizar
ASTM E177 Práctica estándar para el uso de los términos precisión y sesgo en los métodos de prueba ASTM*, 1990-10-26 Actualizar
ASTM E275 Práctica estándar para describir y medir el rendimiento de espectrofotómetros ultravioleta, visible e infrarrojo cercano*, 1993-10-26 Actualizar
ASTM F1723 Práctica estándar para la evaluación de varillas de silicio policristalino mediante espectroscopía y crecimiento de cristales de zona flotante*, 1996-10-26 Actualizar