ASTM F76-08(2016)e1
Métodos de prueba estándar para medir la resistividad y el coeficiente Hall y determinar la movilidad Hall en semiconductores monocristalinos

Estándar No.

ASTM F76-08(2016)e1

Fecha de publicación

2016

Organización

American Society for Testing and Materials (ASTM)

Ultima versión

ASTM F76-08(2016)e1

Alcance

1.1 Estos métodos de prueba cubren dos procedimientos para medir la resistividad y el coeficiente Hall de muestras de semiconductores monocristalinos. Estos métodos de prueba difieren más sustancialmente en los requisitos de sus muestras de prueba. 1.1.1 Método de prueba A, van der Pauw (1) 2. Este método de prueba requiere una muestra de prueba conectada individualmente (sin orificios aislados), de espesor homogéneo, pero de forma arbitraria. Los contactos deben ser suficientemente pequeños y estar ubicados en la periferia de la muestra. La medición se interpreta más fácilmente para un semiconductor isotrópico cuya conducción está dominada por un único tipo de portador. 1.1.2 Método de prueba B, tipo paralelepípedo o puente. Este método de prueba requiere una muestra homogénea en espesor y de forma especificada. Los requisitos de contacto se especifican tanto para la geometría de paralelepípedo como de puente. Estas geometrías de probetas son deseables para semiconductores anisotrópicos cuyos parámetros medidos dependen de la dirección del flujo de corriente. El método de prueba también se interpreta más fácilmente cuando la conducción está dominada por un solo tipo de portador. 1.2 Estos métodos de prueba no proporcionan procedimientos para dar forma, limpiar o contactar muestras; sin embargo, se proporciona un procedimiento para verificar la calidad del contacto. NOTA 1: la práctica F418 cubre la preparación de muestras de fosfuro de arseniuro de galio. 1.3 El método de la práctica F418 no proporciona una interpretación de los resultados en términos de propiedades básicas de los semiconductores (por ejemplo, movilidades y densidades de los portadores mayoritarios y minoritarios). En el Apéndice se proporciona alguna orientación general, aplicable a ciertos semiconductores y rangos de temperatura. Sin embargo, en su mayor parte la interpretación queda en manos del usuario. 1.4 Las pruebas entre laboratorios de estos métodos de prueba (Sección 19) se han realizado sólo en un rango limitado de resistividades y para los semiconductores, germanio, silicio y arseniuro de galio. Sin embargo, el método es aplicable a otros semiconductores siempre que se conozcan la preparación de muestras y los procedimientos de contacto adecuados. El rango de resistividad sobre el cual es aplicable el método está limitado por la geometría de la muestra de prueba y la sensibilidad de la instrumentación. 1.5 Los valores indicados en unidades métricas aceptables deben considerarse como estándar. Los valores entre paréntesis son sólo para información. (Ver también 3.1.4.) 1.6 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso. 1.7 Esta norma internacional fue desarrollada de acuerdo con los principios internacionalmente reconocidos sobre estandarización establecidos en la Decisión sobre Principios para el Desarrollo de Normas, Guías y Recomendaciones Internacionales emitida por el Comité de Obstáculos Técnicos al Comercio (OTC) de la Organización Mundial del Comercio.

ASTM F76-08(2016)e1 Documento de referencia

• ASTM D1125 Métodos de prueba estándar para conductividad eléctrica y resistividad del agua
• ASTM E2554 Práctica estándar para estimar y monitorear la incertidumbre de los resultados de una prueba de un método de prueba utilizando técnicas de gráficos de control*， 2018-04-01 Actualizar
• ASTM F26 
• ASTM F418 Práctica estándar para la preparación de muestras de la región de composición constante de fosfuro de arseniuro de galio epitaxial para mediciones de efecto Hall
• ASTM F43 
• ASTM F47 

ASTM F76-08(2016)e1 Historia

• 2016 ASTM F76-08(2016)e1 Métodos de prueba estándar para medir la resistividad y el coeficiente Hall y determinar la movilidad Hall en semiconductores monocristalinos
• 2008 ASTM F76-08(2016) Métodos de prueba estándar para medir la resistividad y el coeficiente Hall y determinar la movilidad Hall en semiconductores monocristalinos
• 2008 ASTM F76-08 Métodos de prueba estándar para medir la resistividad y el coeficiente Hall y determinar la movilidad Hall en semiconductores monocristalinos
• 1986 ASTM F76-86(2002) Métodos de prueba estándar para medir la resistividad y el coeficiente Hall y determinar la movilidad Hall en semiconductores monocristalinos
• 1986 ASTM F76-86(1996)e1 Métodos de prueba estándar para medir la resistividad y el coeficiente Hall y determinar la movilidad Hall en semiconductores monocristalinos