SJ/T 11494-2015
(Versión en inglés)

Estándar No.

SJ/T 11494-2015

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2015

Organización

Professional Standard - Electron

Ultima versión

SJ/T 11494-2015

Alcance

Esta norma especifica el método de prueba de fotoluminiscencia para impurezas de boro y fósforo en monocristales de silicio. Esta norma es aplicable a la determinación del contenido de impurezas conductoras de boro y fósforo en monocristales de silicio con baja densidad de dislocación (< 500/cm) y a la detección del contenido de 1×10 a • cm~5. ×10 at en monocristales de silicio ·cm de diversas impurezas eléctricamente activas.

SJ/T 11494-2015 Documento de referencia

• GB/T 13389 Práctica para la conversión entre resistividad y densidad dopante para silicio dopado con boro, fósforo y arsénico
• GB/T 24581 Método de prueba para el contenido de impurezas Ⅲ y Ⅴ en silicio monocristalino: método de análisis FT-IR a baja temperatura*， 2022-03-09 Actualizar

SJ/T 11494-2015 Historia

• 2015 SJ/T 11494-2015