GB/T 14863-2013 (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 14863-2013
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2013
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Estado: Retirar 2017-12
Ultima versión: GB/T 14863-2013
Reemplazar: GB/T 14863-1993

Alcance: Esta norma especifica el método de prueba para determinar la concentración neta de portadores en capas epitaxiales de silicio utilizando la relación voltaje-capacitancia de diodos activados y no activados. Esta norma se aplica a la medición de la concentración neta de portadores de capas epitaxiales de tipo n o tipo p sobre sustratos del mismo tipo de conductividad o de tipos opuestos con un espesor de capa epitaxial no inferior a un cierto valor de espesor mínimo (ver Apéndice A). Esta norma también es aplicable a la medición de la concentración neta de portadores de obleas pulidas de silicio.

GB/T 14863-2013 Documento de referencia

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2013 GB/T 14863-2013 Método para la densidad neta de portadores en capas epitaxiales de silicio mediante capacitancia de voltaje de diodos activados y no activados
1993 GB/T 14863-1993 Método de prueba estándar para la densidad neta de portadores en capas equitaxiales de silicio mediante capacitancia de voltaje de diodos activados y no activados