GB/T 14863-1993
Método de prueba estándar para la densidad neta de portadores en capas equitaxiales de silicio mediante capacitancia de voltaje de diodos activados y no activados (Versión en inglés)
- Estándar No.
- GB/T 14863-1993
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 1993
- Organización
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Estado
- 2014-08
- Remplazado por
- GB/T 14863-2013
- Ultima versión
- GB/T 14863-2013
- Alcance
- Esta norma especifica el principio, los instrumentos y materiales, la preparación de muestras, los procedimientos de medición y el procesamiento de datos para determinar la concentración neta de corriente en la capa epitaxial de silicio utilizando la relación voltaje-capacitancia de diodos activados y no activados. Esta norma se aplica a capas epitaxiales de tipo n o tipo p sobre sustratos del mismo tipo de conductividad u opuesto cuyo espesor de capa epitaxial no sea menor que un cierto valor de espesor mínimo (ver Apéndice B), y también se aplica a materiales a granel.
GB/T 14863-1993 Historia
- 2013 GB/T 14863-2013 Método para la densidad neta de portadores en capas epitaxiales de silicio mediante capacitancia de voltaje de diodos activados y no activados
- 1993 GB/T 14863-1993 Método de prueba estándar para la densidad neta de portadores en capas equitaxiales de silicio mediante capacitancia de voltaje de diodos activados y no activados
