Este estándar utiliza espectroscopía infrarroja para determinar la variación radial del contenido de oxígeno intersticial en cristales de silicio. Este estándar requiere el uso de muestras de referencia anaeróbicas y un conjunto de estándares certificados para calibrar equipos. Esta norma se aplica a la medición del contenido de oxígeno intersticial en monocristales de silicio tipo n con resistividad a temperatura ambiente superior a 0,1 Ω·cm y monocristales de silicio tipo p con resistividad a temperatura ambiente superior a 0,5 Ω·cm. El rango efectivo de este estándar para medir el contenido de oxígeno es desde 1×10 at·cm hasta la máxima solubilidad sólida del oxígeno intersticial en cristales de silicio.
GB/T 14144-2009 Documento de referencia
GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 1557-2006 El método para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja.
GB/T 14144-2009 Historia
2009GB/T 14144-2009 Método de prueba para la determinación de la variación radial del oxígeno intersticial en silicio.
1993GB/T 14144-1993 Método de prueba para la determinación de la variación radial del oxígeno intersticial en silicio.