GB/T 1557-2006
El método para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja. (Versión en inglés)

Estándar No.

GB/T 1557-2006

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2006

Organización

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

Estado

 2019-06

Remplazado por

GB/T 1557-2018

Ultima versión

GB/T 1557-2018

Reemplazar

GB/T 1557-1989 GB/T 14143-1993

Alcance

Esta norma especifica el método para la determinación del contenido de oxígeno intersticial en monocristales de silicio mediante espectroscopia infrarroja. Esta norma se aplica a la medición del contenido de oxígeno intersticial en monocristales de silicio tipo n con resistividad a temperatura ambiente superior a 0,1 Ω·cm y monocristales de silicio tipo p con resistividad a temperatura ambiente superior a 0,5 Ω·cm. El rango efectivo de este estándar para medir el contenido de oxígeno es desde 1×1016at·cm-3 hasta la máxima solubilidad sólida del oxígeno intersticial en silicio.

GB/T 1557-2006 Documento de referencia

• ASTM E131 Definiciones estándar de términos y símbolos relacionados con la espectroscopia molecular
• GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones*， 2009-10-30 Actualizar

GB/T 1557-2006 Historia

• 2018 GB/T 1557-2018 Método de prueba para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja.
• 2006 GB/T 1557-2006 El método para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja.
• 1989 GB/T 1557-1989 El método para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja.

GB/T 1557-2006 El método para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja. ha sido cambiado a GB/T 14143-1993 Método de medición de la absorción infrarroja del contenido de oxígeno en el espacio de una oblea de silicio de 300-900 μm.