GB/T 24574-2009
Métodos de prueba para el análisis de fotoluminiscencia de silicio monocristalino para impurezas Ⅲ-Ⅴ (Versión en inglés)

Estándar No.

GB/T 24574-2009

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2009

Organización

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

Ultima versión

GB/T 24574-2009

Alcance

Esta norma especifica el método de prueba de fotoluminiscencia para impurezas del Grupo III-V en monocristales de silicio. Esta norma se aplica a la determinación simultánea del contenido de impurezas conductoras de boro y fósforo en silicio monocristalino de baja dislocación. Este estándar se utiliza para detectar diversos elementos de impurezas electroactivas con un contenido de 1×10 at·cm a 5×10 at·cm en silicio monocristalino.

GB/T 24574-2009 Documento de referencia

• GB/T 13389 Práctica para la conversión entre resistividad y densidad dopante para silicio dopado con boro, fósforo y arsénico*， 2014-12-31 Actualizar
• GB/T 24581 Método de prueba para el contenido de impurezas Ⅲ y Ⅴ en silicio monocristalino: método de análisis FT-IR a baja temperatura*， 2022-03-09 Actualizar

GB/T 24574-2009 Historia

• 2009 GB/T 24574-2009 Métodos de prueba para el análisis de fotoluminiscencia de silicio monocristalino para impurezas Ⅲ-Ⅴ