GB/T 6617-1995
(Versión en inglés)
- Estándar No.
- GB/T 6617-1995
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 1995
- Organización
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Estado
- 2010-06
- Remplazado por
- GB/T 6617-2009
- Ultima versión
- GB/T 6617-2009
- Alcance
- Esta norma especifica el método para medir la resistividad de las obleas de silicio con sondas de resistencia de extensión. Este estándar es adecuado para medir la resistividad de obleas de silicio con orientación de cristal y tipo de conductividad conocidos y medir la resistividad de capas epitaxiales de silicio del mismo tipo o de tipo opuesto que el sustrato. Rango de medición: 10-3～102Ω·cm.
GB/T 6617-1995 Historia
- 2009 GB/T 6617-2009 Método de prueba para medir la resistividad de una oblea de silicio utilizando una sonda de resistencia de extensión
- 1995 GB/T 6617-1995
