GB/T 6616-2009 (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 6616-2009
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2009
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Estado: 2024-03
Remplazado por: GB/T 6616-2023
Ultima versión: GB/T 6616-2023
Reemplazar: GB/T 6616-1995

Alcance: Esta norma especifica el método para medir la resistividad de obleas de silicio semiconductor y la resistencia laminar de películas delgadas mediante corrientes parásitas sin contacto. Esta norma es aplicable a la medición de la resistividad de cortes, esmerilados y pulidos de monocristales de silicio con un diámetro o longitud lateral superior a 25 mm y un espesor de 0,1 mm a 1 mm, y a la resistencia de las láminas de películas delgadas de silicio. Al medir la resistencia de la lámina de película delgada, la resistencia de la lámina efectiva del sustrato debe ser al menos 1000 veces la resistencia de la lámina de la película delgada. Los rangos de medición de la resistividad de la oblea de silicio y la resistencia de la lámina de película son 1,0*10-3Ω•cm-2*102Ω•cm y 2*103Ω/□~ 3*103Ω/□.

GB/T 6616-2009 Documento de referencia

ASTM E691 Práctica estándar para realizar un estudio entre laboratorios para determinar la precisión de un método de prueba
GB/T 1552 Método de prueba para medir la resistividad de silicio monocristalino y germanio con una matriz colineal de cuatro sondas

2023 GB/T 6616-2023 Método de corrientes parásitas sin contacto para probar la resistividad de las obleas semiconductoras y la resistencia de las láminas de películas semiconductoras
2009 GB/T 6616-2009 Métodos de prueba para medir la resistividad de obleas semiconductoras o la resistencia laminar de películas semiconductoras con un medidor de corrientes parásitas sin contacto
1995 GB/T 6616-1995