Esta norma especifica el método de medición de la absorción infrarroja del contenido de átomos de carbono sustitutos en el silicio. Esta norma se aplica a la determinación de la concentración de átomos de carbono sustitutos en monocristales de silicio con una concentración de portador inferior a 5×1016 cm-3 y una resistividad a temperatura ambiente superior a 0,1 Ω · cm. Dado que el carbono también puede estar presente en los sitios intersticiales, este método no puede determinar la concentración total de carbono. Esta norma también es aplicable a la determinación de la concentración de átomos de carbono sustitutos en silicio policristalino, y tampoco se puede determinar el carbono en la región límite entre granos. El rango efectivo de este estándar para medir la concentración de átomos de carbono es: desde la concentración de átomos de carbono sustitutos en silicio a temperatura ambiente 1×1016at cm-3(200PPba) hasta la solubilidad máxima de los átomos de carbono, el límite inferior a 77K Drop a 5×1015at cm (100PPba).
GB/T 1558-1997 Historia
2009GB/T 1558-2009 Método de prueba para determinar el contenido de carbono atómico sustitucional del silicio mediante absorción infrarroja
1997GB/T 1558-1997 Método de prueba para el contenido de carbono atómico sustitucional del silicio mediante absorción infrarroja