GB/T 1551-2009
Método de prueba para medir la resistividad del silicio monocristal. (Versión en inglés)

Estándar No.

GB/T 1551-2009

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2009

Organización

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

Estado

 2021-12

Remplazado por

GB/T 1551-2021

Ultima versión

GB/T 1551-2021

Reemplazar

GB/T 1551-1995 GB/T 1552-1995

Alcance

Este método especifica un método para medir la resistividad de monocristales de silicio mediante el método de cuatro sondas en línea. Este método es adecuado para medir el espesor de la muestra y la distancia más corta desde el borde de la muestra hasta cualquier punto final de la sonda, los cuales son mayores que 4 veces el espaciado de la sonda para la resistividad del monocristal de silicio, y el diámetro de medición es mayor. de 10 veces el espaciado de la sonda, Resistividad de una sola oblea con un espesor inferior a 4 veces el paso de la sonda. El rango de resistividad del monocristal de silicio que se puede determinar mediante el método es 1×10Ω·cm～3×10Ω·cm.

GB/T 1551-2009 Historia

• 2021 GB/T 1551-2021 Método de prueba para medir la resistividad del silicio monocristalino: método de sonda de cuatro puntos en línea y método de sonda de dos puntos de corriente continua
• 2009 GB/T 1551-2009 Método de prueba para medir la resistividad del silicio monocristal.
• 1995 GB/T 1551-1995

GB/T 1551-2009 Método de prueba para medir la resistividad del silicio monocristal. ha sido cambiado a GB/T 1552-1995 Método de prueba para medir la resistividad de silicio monocristalino y germanio con una matriz colineal de cuatro sondas.