IEC 60749-4:2002
Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 4: Calor húmedo, estado estacionario, prueba de esfuerzo altamente acelerado (HAST)

Estándar No.

IEC 60749-4:2002

Fecha de publicación

2002

Organización

International Electrotechnical Commission (IEC)

Estado

 2017-03

Remplazado por

IEC 60749-4:2002/COR1:2003

Ultima versión

IEC 60749-4:2017

Reemplazar

IEC 47/1532A/CDV:2000 IEC 47/1602/FDIS:2002 IEC 60749:1996 IEC 60749 AMD 1:2000 IEC 60749 AMD 2:2001 IEC 60749 Edition 2.2:2002 IEC/PAS 62177:2000

Alcance

Esta parte de IEC 60749 proporciona una prueba de estrés de temperatura y humedad (HAST) altamente acelerada con el fin de evaluar la confiabilidad de dispositivos semiconductores empaquetados no herméticos en ambientes húmedos.

IEC 60749-4:2002 Historia

• 2017 IEC 60749-4:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 4: Calor húmedo, estado estacionario, prueba de esfuerzo altamente acelerado (HAST)
• 2003 IEC 60749-4:2002/COR1:2003 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Parte 4: Calor húmedo @ Estado estable @ Prueba de tensión altamente acelerada (HAST) CORRIGENDUM 1 (Edición 1.0)
• 2002 IEC 60749-4:2002 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 4: Calor húmedo, estado estacionario, prueba de esfuerzo altamente acelerado (HAST)

IEC 60749-4:2002 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 4: Calor húmedo, estado estacionario, prueba de esfuerzo altamente acelerado (HAST) ha sido cambiado a IEC 60749:1996 Dispositivos semiconductores: métodos de prueba mecánicos y climáticos..